C-ION -vedenkäsittelyprosessi on ns. kehittynyt hapetusprosessi (AOP).

Toisin kuin perinteiset AOP-prosessit, C-ION ei tarvitse toimiakseen kemikaaleja, eikä sitä tarvitse yhdistää muuhun desinfiointitekniikkaan. Yhdistämällä C-ION erilaisiin suodatusmenetelmiin, sillä pystytään erittäin tehokkaasti käsittelemään hyvin suuria määriä epäpuhtauksia (esim. lietteet) ja vaikeasti hapetettavia epäpuhtauksia kuten esimerkiksi jätevesien lääkejäämät.

Prosessi perustuu laitteiston muodostamaan kylmäplasmaan (NTP) ja siinä aiheutettuihin koronapurkauksiin, jotka synnyttävät reaktiivisia happiradikaaleja. Happiradikaalit hapettavat sekä orgaanisia että epäorgaanisia epäpuhtauksia ja niiden erittäin korkean hapettamispotentiaalin vuoksi C-ION -prosessi soveltuu myös erittäin suurille kiintoainepitoisuuksille ja normaalimenetelmillä huonosti hapettuville veden epäpuhtauksille.

C-ION IXS

C-ION IXS on valmiiksi koottu plasmayksikkö. Yksikkö muodostaa kylmäplasmaa suoraan käsittelemättömästä ulko- tai huoneilmasta. Happiradikaalit johdetaan C-ION -reaktoriin, jossa hapetusreaktioita nopeutetaan sekoittamalla. Sisääntulevan ilman esikäsittelyä, jäähdytystä tai erityistä eristämistä ei tarvita, eikä prosessi vaadi kemikaaleja.

C-ION IXS on heti valmis yksikkö, joka on valmis asennettavaksi sopivaan säiliöön.

Tekniset tiedot

Plasman tyyppi DBD
Plasmavirtaus 30 – 110 m³/h
Katalyytti TiO2
Runkomateriaali AISI 316
Plasmakennoja 1 – 3 kpl
Suojausluokka IP55
Käsiteltävän veden tilavuusvirta 1,0 – 100 m³/h
Lämpötila-alue 4 – 50 °C
Kosteus < 70%
Siipipyörän upotussyvyys < 1,3 m
Virtalähde 400V/50Hz 9 A
Tehontarve 1,5 – 4,5 kW